特許
J-GLOBAL ID：200903091154876953

化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
渡辺 淳

渡辺 淳 について

, 
原田 裕次

原田 裕次 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358766
公開番号（公開出願番号）：特開2001-174997
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【解決手段】 分子内にフッ素原子を1つ以上含む溶媒を配合してなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【効果】 本発明のレジスト用溶媒は、フッ素置換ポリマーの溶解性に優れ、スピンコートにおける製膜性に優れるものである。従って、本発明の溶媒を含むレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料用の溶媒となり得るもので、スピンコート可能で、安定、安全で超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
請求項（抜粋）：
分子内にフッ素原子を1つ以上含む溶媒を配合してなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
IPC (4件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (19件)：
2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF03 ,  2H025BF07 ,  2H025BF15 ,  2H025BJ01 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20
引用特許：
審査官引用 (8件)
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