特許
J-GLOBAL ID：200903091279788789
半導体製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-247235
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077288
出願日： 1998年09月01日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】半導体製造に於いて、1つの処理室で連続して複数行程の処理が行える様にし、処理能率を向上させると共に処理中の人為的ミスの発生を抑制しようとするものである。【解決手段】複数の処理室を具備する半導体製造装置に於いて、1つの処理室に於ける処理を処理室レシピに基づき行うと共に処理室での処理を時分割し、各分割した区分毎に対応するステップレシピを作成し、前記処理室レシピが前記ステップレシピにより構成され、処理条件は各ステップレシピ毎に設定するものであり、又ステップレシピはコピーを可能とし、1つの処理室で複数の処理を可能とすると共にレシピ作成作業の効率を向上させる。
請求項（抜粋）：
複数の処理室を具備する半導体製造装置に於いて、1つの処理室に於ける処理を処理室レシピに基づき行うと共に処理室での処理を時分割し、各分割した区分毎に対応するステップレシピを作成し、前記処理室レシピが前記ステップレシピにより構成され、処理条件は各ステップレシピ毎に設定することを特徴とする半導体製造方法。
引用特許：
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