特許
J-GLOBAL ID：200903063280979314

半導体発光素子

発明者：
種谷 元隆

種谷 元隆 について

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神川 剛

神川 剛 について

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毛利 裕一

毛利 裕一 について

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近藤 雅文

近藤 雅文 について

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山田 英司

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出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-368718
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196143
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 量子井戸活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子(LED)の発光強度の向上と単色性の改善を実現し、さらに半導体レーザの閾値電流の低減と高信頼性の確保を図る。【解決手段】 InaGa1-aN量子井戸活性層に接してn側にInxGa1-xN(0.03≦x≦a-0.1)のn側緩衝層を、p側にInyGa1-yN(0.03≦y≦a-0.15)のp側緩衝層を、いずれも厚さ3nm以上25nm以下の範囲で形成する。
請求項（抜粋）：
n型GaN系クラッド層と、InaGa1-aN量子井戸層(0.15≦a≦1)からなる活性層と、p型GaN系コンタクト層と含む窒化ガリウム系半導体発光素子において、活性層はInxGa1-xN-n側緩衝層(0.03≦x≦a-0.1)とInyGa1-yN-p側緩衝層(0.03≦y≦a-0.15)の両方に接するように挟まれて形成されており、InxGa1-xN-n側緩衝層とInyGa1-yN-p側緩衝層の層厚はそれぞれ3nm以上25nm以下であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677
Fターム (26件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CB11 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB08 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 3族窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-308251   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
  • 窒化物半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-317848   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 半導体レーザー装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-183001   出願人：松下電器産業株式会社
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