特許
J-GLOBAL ID:200903091308004083
パターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
小島 清路
, 萩野 義昇
, 谷口 直也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-080050
公開番号(公開出願番号):特開2008-241931
出願日: 2007年03月26日
公開日(公表日): 2008年10月09日
要約:
【課題】感度、解像度及びナノエッジラフネスに優れるパターンを形成することができるとともに、高精度な微細パターンを安定して形成可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】本パターン形成方法は、基板上にポジ型感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト被膜を形成する工程、前記レジスト被膜に所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射して露光する工程、前記レジスト被膜上に上層膜を形成する工程、及び、現像によりレジストパターンを形成する工程を備えており、前記樹脂組成物は、感放射線性酸発生剤と、酸解離性基を有する繰り返し単位を含む樹脂と、を含有しており、且つ前記酸解離性基を有する繰り返し単位が前記樹脂中に30〜80モル%含まれている。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(1)基板上にポジ型感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト被膜を形成する工程と、
(2)前記レジスト被膜に所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射し、露光する工程と、
(3)露光された前記レジスト被膜上に上層膜を形成する工程と、
(4)現像によりレジストパターンを形成する工程と、を備えており、
前記ポジ型感放射線性樹脂組成物は、感放射線性酸発生剤(A)と、酸解離性基を有する繰り返し単位を含む樹脂(B)と、を含有しており、且つ前記酸解離性基を有する繰り返し単位が前記樹脂(B)中に30〜80モル%含まれていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件):
G03F 7/38
, G03F 7/039
, H01L 21/027
, C08F 220/58
FI (4件):
G03F7/38 511
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
, C08F220/58
Fターム (30件):
2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BF02
, 2H025BF15
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA12
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096EA23
, 2H096FA05
, 2H096GA08
, 2H096JA02
, 4J100AL08Q
, 4J100AL31Q
, 4J100AM21P
, 4J100BA56P
, 4J100BB18Q
, 4J100CA04
, 4J100JA38
引用特許:
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