特許
J-GLOBAL ID：200903091662656187

窒化物化合物半導体層のエッチング方法及びその方法を用いて製造された半導体デバイス

発明者：
佐藤 義浩

佐藤 義浩 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-085502
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244324
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】エッチング深さの制御性や再現性に優れた、より選択性の高い窒化物化合物半導体層のエッチング方法、並びに、そのエッチング方法を用いて製造された半導体デバイスを提供すること。【解決手段】Al含有窒化物化合物半導体層7上に窒化物化合物半導体層8を形成し、Al含有化合物半導体層7に対する窒化物化合物層8のエッチング選択比が100以上となる条件で窒化物化合物層8をドライエッチングする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Al含有窒化物化合物半導体層上に窒化物化合物半導体層を形成し、前記Al含有化合物半導体層に対する前記窒化物化合物層のエッチング選択比が100以上となる条件で前記窒化物化合物層をドライエッチングすることを特徴とする窒化物化合物半導体層のエッチング方法。
IPC (5件)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (3件)：
H01S5/343 610 ,  H01L21/302 105A ,  H01L29/80 H
Fターム (33件)：
5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA23 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F173AA01 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AP33 ,  5F173AP37 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ14 ,  5F173AR62
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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