特許
J-GLOBAL ID：200903092193994900
複合成膜装置およびこれを用いた磁気ヘッドの保護膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-179544
公開番号（公開出願番号）：特開2005-018844
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】磁気記録におけるフライトハイトを小さくする保護膜を磁気ヘッド上に形成する複合成膜装置および保護膜形成方法を提供する。【解決手段】複合成膜装置1は、磁気ヘッドが配列して成る基板100の被保護面を所定深さ除去する前処理工程であるイオンビームエッチング専用の処理室10と、前処理が施された面に緩衝膜を形成する緩衝膜形成工程であるマグネトロンスパッタ蒸着専用の処理室30と、緩衝膜が形成された面に保護膜を形成する保護膜形成工程である電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相成長専用の処理室40と、開閉手段5,6,7を介して処理室10,30,40にそれぞれ連通し、基板100の受け渡しを行う準備室3とを備える【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁気ヘッドの被保護面に所定角度でイオンビームを照射させて該被保護面を所定深さ除去する前処理工程であるイオンビームエッチング専用の処理室と、前記前処理が施された面に緩衝膜を形成する緩衝膜形成工程であるマグネトロンスパッタ蒸着専用の処理室と、前記緩衝膜が形成された面に保護膜を形成する保護膜形成工程である電子サイクロトロン共鳴プラズマ化学気相成長専用の処理室と、開閉手段を介して前記3つの処理室に連通し、被処理物の受け渡しを行う準備室とを備えることを特徴とする複合成膜装置。
IPC (3件)：
G11B5/60
, C23C14/56
, C23C16/54
G11B5/60 C
, C23C14/56 G
, C23C16/54
4K029AA24
, 4K029BA34
, 4K029BA35
, 4K029BB02
, 4K029BB07
, 4K029BB10
, 4K029BD11
, 4K029CA03
, 4K029CA05
, 4K029DD06
, 4K029FA05
, 4K029KA09
, 4K030AA09
, 4K030BA27
, 4K030BA28
, 4K030FA02
, 4K030HA04
, 4K030LA20
, 5D042RA10
, 5D042SA03
