特許
J-GLOBAL ID：200903092255068196

半導体装置およびその製造方法

発明者：
市川 宏道

市川 宏道 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-301787
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114768
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 動作時のドレイン耐圧の向上を図る半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極のドレイン電極24側の端部15aの近傍からドレイン電極24の方向(X2方向)に形成された第1ドレイン領域21と、第1ドレイン領域21の内側でドレイン電極24に接するドレインコンタクト領域23と、ドレインコンタクト領域23の周囲および下側に形成された第2ドレイン領域22とから構成し、第2ドレイン領域22の不純物濃度を第1ドレイン領域21よりも高濃度でかつドレインコンタクト領域23よりも低濃度に設定する。さらに、第2ドレイン領域22をそのゲート電極15側の端部22aがゲート電極の端部15aから所定の距離L1だけ離間した配置とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の表面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極の一端の近傍に設けられた前記第1の導電型とは反対導電型の第2の導電型の第1のドレイン領域と、 前記第1のドレイン領域内に設けられ、第1のドレイン領域の不純物濃度よりも高濃度の第2の導電型のドレインコンタクト領域と、 前記ドレインコンタクト領域の周囲および下側に設けられた第2の導電型の第2のドレイン領域とを備え、 前記第2のドレイン領域は、 不純物濃度がドレインコンタクト領域よりも低濃度であり、かつ第1のドレイン領域よりも高濃度であり、 ゲート電極側の端部がゲート電極の前記一端から所定の距離を離間して設けられてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/06
FI (2件)：
H01L29/78 301S ,  H01L27/06 321A
Fターム (57件)：
5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC07 ,  5F048BA01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BC20 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F048CA01 ,  5F048CA02 ,  5F048CA04 ,  5F048DA08 ,  5F140AA17 ,  5F140AA21 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD19 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BF51 ,  5F140BG31 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BH08 ,  5F140BH13 ,  5F140BH15 ,  5F140BH17 ,  5F140BH19 ,  5F140BH30 ,  5F140BH49 ,  5F140BH50 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ16 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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