半導体装置のレイアウト構造およびレイアウト設計方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047550
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237328
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】基板またはウェル電位を電源電位と独立に給電可能なレイアウト構造において、レイアウト面積の増大を抑えつつ、基板またはウェル電位や電源電位の電位降下を抑える。【解決手段】トランジスタのソースを形成する第1の拡散領域102と分離して、基板またはウェル電位を給電するための第2の拡散領域104を設けている。第1の拡散領域102には第1の配線層の配線112と、第2の拡散領域104と重なりを有するように第2の配線層に設けられた配線108とを介して、電源電位VSSが給電される。第1の配線層において、第2の拡散領域104およびVSS配線108と重なる部分に、第2の拡散領域104における電位降下を防ぐための補強用配線106が設けられている。

請求項（抜粋）：

基板表面に形成された第1の不純物拡散領域と、前記基板表面に前記第1の不純物拡散領域と分離して形成され、基板またはウェル電位を給電するための第2の不純物拡散領域と、前記基板上層に形成された第1の配線層に設けられ、前記第1の不純物拡散領域と電気的に接続された第1の配線と、前記第1の配線層の上層に形成された第2の配線層に、前記第2の不純物拡散領域と基板面垂直方向からみて重なりを有するように設けられており、前記第1の配線と電気的に接続され、前記第1の不純物拡散領域に電源電位を給電するための第2の配線と、前記第1の配線層の,基板面垂直方向からみて前記第2の不純物拡散領域および第2の配線と重なる部分に、前記第1の配線と分離して設けられており、前記第2の不純物拡散領域と電気的に接続された補強用配線とを備えたことを特徴とする半導体装置のレイアウト構造。

IPC (7件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/82 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (7件)：

H01L 27/08 321 F , H01L 21/82 W , H01L 21/88 J , H01L 21/88 Z , H01L 21/90 A , H01L 27/04 D , H01L 27/08 321 B

Fターム (43件)：

5F033HH19 , 5F033KK01 , 5F033KK19 , 5F033KK26 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033MM05 , 5F033QQ37 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033UU05 , 5F033VV00 , 5F033VV04 , 5F033VV05 , 5F033XX03 , 5F033XX10 , 5F033XX25 , 5F038CA03 , 5F038CA07 , 5F038CA17 , 5F038CD04 , 5F048AA00 , 5F048AA01 , 5F048AB04 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BE03 , 5F048BE09 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BG14 , 5F064AA05 , 5F064CC12 , 5F064DD05 , 5F064EE09 , 5F064EE34 , 5F064EE52 , 5F064GG01 , 5F064HH12

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-050339 出願人：新日本無線株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-052970 出願人：株式会社日立製作所
サリサイドパワー分布を有するベーシックゲートアレイセル
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-036106 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド

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