特許
J-GLOBAL ID：200903092380115384
超音波送受信デバイス及びそれを用いた超音波探触子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-128020
公開番号（公開出願番号）：特開2008-283618
出願日： 2007年05月14日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】シリコン基板上に静電駆動により膜を振動させて超音波を発生させる素子を備えた超音波探触子における振動膜の電極が繰返し応力による疲労破壊や、クリープ変形を低減すること。【解決手段】超音波を送受信する超音波送受信デバイスにおいて、半導体基板と、前記半導体基板より上に設けられた下部電極と、前記下部電極より上に設けられたギャップと、前記ギャップの上に設けられた第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜よりも上に設けられる上部電極と、前記上部電極よりも上に設けられた第4の絶縁膜と、前記第4の絶縁膜の上に設けられた配線層と、前記配線層の上に設けられた第5の絶縁膜とを備えている超音波送受信デバイス。前記上部電極と前記配線層が、貫通配線で電気的に接続されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板、下部電極、ギャップ、第1の絶縁膜、上部電極、第2の絶縁膜、配線層、第3の絶縁膜とが順次積層された積層体を備え、前記下部電極と上部電極との間に電圧を印加するように構成され、前記上部電極と前記配線層とが、貫通配線により電気的に接続された構造を有することを特徴とする超音波送受信デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4C601EE10
, 4C601GB02
, 4C601GB41
, 4C601GB45
, 5D019BB25
, 5D019EE02
, 5D019FF05
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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超音波トランスデューサおよびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-258117
出願人：株式会社日立製作所
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-035892
出願人：松下電器産業株式会社
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超音波センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-042449
出願人：株式会社デンソー, 株式会社日本自動車部品総合研究所
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