特許
J-GLOBAL ID：200903093295592536

半導体装置

発明者：
中井 宏明

中井 宏明 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049685
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249569
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電圧の変動の影響を受けにくい電圧降下回路を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 MOSトランジスタのしきい値電圧に、ある一定値をオフセットしたバイアス電位VBIASをしきい値補償回路32が発生する。これにより、しきい値の変動が補償されたゲート-ソース間電圧がトランジスタN3に与えられる。トランジスタN3を電流源として動作する差動増幅回路40を構成要素とすることによりプロセスばらつきや温度によるしきい値電圧の変動の影響を受けにくい電圧降下回路24が実現できる。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタのしきい値電圧に応じた制御電位を出力するしきい値補償回路と、第1の入力電位と第2の入力電位との電位差を増幅する差動増幅回路とを備え、前記差動増幅回路は、前記制御電位をゲートに受け、前記制御電位に応じて前記差動増幅回路のバイアス電流を定める第1のMOSトランジスタを含む、半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/8238 ,  G05F 1/56 310 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/10 481
FI (7件)：
G05F 1/56 310 F ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 321 L ,  H01L 27/04 B ,  G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 335 A
Fターム (52件)：
5B015HH04 ,  5B015JJ07 ,  5B015KB64 ,  5B015KB65 ,  5B015KB73 ,  5B015QQ10 ,  5F038BB02 ,  5F038BB04 ,  5F038BB05 ,  5F038BB08 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB08 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048AC05 ,  5F048AC10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083LA03 ,  5F083LA08 ,  5F083LA09 ,  5F083LA10 ,  5F083LA27 ,  5F083ZA09 ,  5F083ZA12 ,  5H430BB01 ,  5H430BB05 ,  5H430BB09 ,  5H430BB11 ,  5H430EE04 ,  5H430FF04 ,  5H430FF13 ,  5H430GG08 ,  5H430HH03 ,  5H430LA21 ,  5H430LA22 ,  5H430LB05 ,  5M024AA20 ,  5M024BB29 ,  5M024BB37 ,  5M024FF02 ,  5M024FF23 ,  5M024HH09 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07
引用特許：
審査官引用 (12件)
  • バイアス電流供給方法およびその回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-265816   出願人：株式会社日立製作所
  • 基準電位発生回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191047   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-164183   出願人：株式会社東芝
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