特許
J-GLOBAL ID：200903093488648067
半導体発光装置およびその半導体発光装置を励起光源に用いた固体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329866
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148541
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光装置において、雑音を低減し、高出力下において信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板11上に、n-Ga0.37Al0.63As下部クラッド層12、nまたはi-In0.49Ga0.51P下部光導波層13、In0.12Ga0.88As0.75P0.25量子井戸活性層14、pあるいはi-In0.49Ga0.51P上部第一光導波層15、p-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1エッチング阻止層16、n-In0.49(Al0.1Ga0.9)0.51P電流狭窄層17、n-In0.49Ga0.51Pキャップ層18、10nmのn-GaAsキャップ層19、SiO2膜20を積層する。SiO2膜20、n-GaAsキャップ層19、n-In0.49Ga0.51Pキャップ層18、n-In0.49(Al0.1Ga0.9)0.51P電流狭窄層17を溝状に除去して内部ストライプを形成する。SiO2膜20、n-GaAsキャップ層19と溝底面のp-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1エッチング阻止層16を除去する。次にp-In0.49Ga0.51P上部第二光導波層21、p-Ga0.37Al0.63Asクラッド層22、p-GaAsコンタクト層23を形成する。
請求項（抜粋）：
第一導電型GaAs基板上に、少なくとも、第一導電型下部クラッド層、第一導電型あるいはアンドープの下部光導波層、活性層、第二導電型あるいはアンドープの上部第一光導波層、組成比が0≦x1≦0.5および0≦y1≦0.8である第二導電型In<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As<SB>1-y1</SB>P<SB>y1</SB>エッチング阻止層、組成比が0<z3≦1およびx3=0.49±0.01である第一導電型In<SB>x3</SB>(Al<SB>z3</SB>Ga<SB>1-z3</SB>)<SB>1-x3</SB>P電流狭窄層が順次積層されており、前記上部第一光導波層と前記エッチング阻止層と前記電流狭窄層とからなる半導体層において、前記上部第一光導波層の上面まで、電流注入窓となる部分がライン状に除去されて溝が形成されており、前記半導体層上に該溝を覆うように、第二導電型上部第二光導波層、第二導電型クラッド層および第二導電型GaAsコンタクト層が順次積層されてなる屈折率導波機構を備えており、前記下部光導波層と前記上部第一光導波層と前記上部第二光導波層の合計の膜厚が0.6μm以上であり、前記活性層が、InGaAs、InGaAsPまたはGaAsPからなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/223
, H01S 3/094 S
5F072AB02
, 5F072AB13
, 5F072AB20
, 5F072KK06
, 5F072KK12
, 5F072PP07
, 5F072QQ02
, 5F072TT22
, 5F072TT28
, 5F073AA09
, 5F073AA20
, 5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073AA73
, 5F073BA09
, 5F073CA07
, 5F073CA13
, 5F073CB10
, 5F073EA23
, 5F073EA28
