特許
J-GLOBAL ID：200903093562244763
面発光レーザ、その面発光レーザを用いた面発光レーザアレイと面発光レーザモジュール、および面発光半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-297278
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072128
出願日： 2003年08月21日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】低コストで簡単な手段により、エピタキシャルウエハの反りを解消もしくは抑制して製造歩留まりおよび信頼性に優れた面発光レーザ、面発光レーザアレイ、面発光レーザモジュールおよび面発光レーザを製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に、低屈折率層と高屈折率層を有する下部多層膜反射鏡2と、活性層4と、低屈折率層と高屈折率層を有する上部多層膜反射鏡6が積層されてなる面発光レーザにおいて、半導体基板の厚さy(μm)と下部多層膜反射鏡および上部多層膜反射鏡に含まれる低屈折率層の合計厚さd(μm)を、y>A(μm)+k・d(但し、80≦A≦120、15≦k≦25)を満足する関係とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、低屈折率層と高屈折率層を有する下部多層膜反射鏡と、活性層と、低屈折率層と高屈折率層を有する上部多層膜反射鏡が積層されてなる面発光レーザにおいて、
前記半導体基板の厚さy(μm)と前記下部多層膜反射鏡および前記上部多層膜反射鏡に含まれる低屈折率層の合計厚さd(μm)は、y>A(μm)+k・d(但し、80≦A≦120、15≦k≦25)を満足する関係であることを特徴とする面発光レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F073AB17
, 5F073CA05
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CA20
, 5F073DA24
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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