特許
J-GLOBAL ID：200903016713548820
面発光レーザ装置、その製造方法、およびその駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008878
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217491
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】低抵抗で動作電圧を低くでき、低消費電力にできる面発光レーザ装置である。【解決手段】面発光レーザ装置は、基板101上に、第1のn型半導体多層膜ミラー層103、第1の活性層105、p型のスペーサ層109、第2の活性層113、第2のn型半導体多層膜ミラー層115、の各層を積層して成る共振器構造を有する。活性層105、113の近傍に電流狭窄構造108、112が設けられ、p型スペーサ層109と電気的に接続されたp側電極117、第1のn型半導体多層膜ミラー層103と電気的に接続された第1のn側電極121、第2のn型半導体多層膜ミラー層115と電気的に接続された第2のn側電極119が形成されている。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの発光素子を有する面発光レーザ装置であって、基板上に、少なくとも、第1のn型半導体多層膜ミラー層、第1の活性層、p型のスペーサ層、第2の活性層、第2のn型半導体多層膜ミラー層、の各層を積層して成る共振器構造を有し、前記第1の及び第2の活性層の近傍に電流狭窄構造が設けられており、更にp型スペーサ層と電気的に接続されたp側電極、第1のn型半導体多層膜ミラー層と電気的に接続された第1のn側電極、第2のn型半導体多層膜ミラー層と電気的に接続された第2のn側電極が形成されていることを特徴とする面発光レーザ装置。
Fターム (11件)：
5F073AA42
, 5F073AA61
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA05
, 5F073CA14
, 5F073DA21
, 5F073DA27
, 5F073EA14
, 5F073EA23
