特許
J-GLOBAL ID：200903093817343000

発光装置及びその製造方法

発明者：
泉野 訓宏

泉野 訓宏 について

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松本 公樹

松本 公樹 について

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長濱 慎一

長濱 慎一 について

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佐野 雅彦

佐野 雅彦 について

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柳本 友弥

柳本 友弥 について

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坂本 恵司

坂本 恵司 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (3件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  田村 啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-129473
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205511
出願日： 2008年05月16日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】発光素子と蛍光体とを用いた光の取り出し効率の高い発光装置を提供すること【解決手段】発光素子と、その発光素子を配置する支持体と、蛍光体を含有し少なくとも発光素子の表面を被覆するコーティング層と、を備えた発光装置において、発光素子は、支持基板と、該支持基板の一方の主面上に設けられた接合層と、p型窒化物半導体層と、活性層と、1層以上のn型窒化物半導体層とから構成された積層体を含み、n型窒化物半導体層の露出面は、凹凸形状を有しており、コーティング層は、少なくともその凹凸形状を被覆する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
発光素子と、その発光素子を配置する支持体と、蛍光体を含有し少なくとも前記発光素子の表面を被覆するコーティング層と、を備えた発光装置であって、 前記発光素子が、支持基板と、該支持基板の一方の主面上に設けられた接合層と、該接合層の上に設けられた1層以上のp型窒化物半導体層と、該p型窒化物半導体層の上に設けられた活性層と、該活性層の上に設けられた1層以上のn型窒化物半導体層とから構成された積層体を含む発光素子であり、 前記n型窒化物半導体層の露出面は、凹凸形状を有しており、前記コーティング層は、少なくとも前記凹凸形状を被覆することを特徴とする発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  C09K 11/08
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  C09K11/08 G
Fターム (23件)：
4H001CC04 ,  4H001CC05 ,  4H001CC09 ,  4H001CC11 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA33 ,  5F041DA35 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DA58 ,  5F041DA64 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-359920   出願人：豊田合成株式会社
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-357643   出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
審査官引用 (15件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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