特許
J-GLOBAL ID：200903093932026620
垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三好 秀和
, 伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-109751
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295188
出願日： 2006年04月12日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】改善された外部光子効率を有する垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】3族窒化物発光素子の製造方法は、母基板151上にアンドープGaN層153および絶縁層154を順次に形成する段階と;上記絶縁層を選択的に蝕刻して絶縁層パターン154aを形成する段階と;上記絶縁層パターン上にn-ドープAlxGayIn(1-x-y)N層110、活性層107およびp-ドープAlmGanIn(1-m-n)N層105を順次に形成する段階と;上記p-ドープAlmGanIn(1-m-n)N層上に導電性基板101を形成する段階と;上記母基板、アンドープGaN層および絶縁層パターンを除去する段階と;上記n-ドープAlxGayIn(1-x-y)N層の露出面の一部領域上にn側電極123を形成する段階を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
母基板上にアンドープGaN層および絶縁層を順次に形成する段階と、
上記絶縁層を選択的に蝕刻して上記アンドープGaN層上面に絶縁層パターンを形成する段階と、
上記絶縁層パターン上にn-ドープAlxGayIn(1-x-y)N層(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)、活性層及びp-ドープAlmGanIn(1-m-n)N層(0≦m≦1、0≦n≦1、0≦m+n≦1)を順次に形成する段階と、
上記p-ドープAlmGanIn(1-m-n)N層上に導電性基板を形成する段階と、
上記母基板、アンドープGaN層および絶縁層パターンを除去して、上記n-ドープAlxGayIn(1-x-y)N層に形成された凸凹パターンを露出させる段階及び
上記n-ドープAlxGayIn(1-x-y)N層の露出面の一部領域上にn側電極を形成する段階を含むことを特徴とする垂直構造3族窒化物発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CB15
