特許
J-GLOBAL ID：200903094072440960

熱処理方法及び熱処理装置

発明者：
菱屋 晋吾

菱屋 晋吾 について

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青木 公也

青木 公也 について

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渡邊 将久

渡邊 将久 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-347420
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116706
出願日： 2003年10月06日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 凹部への埋め込み性が良好で高密度な、絶縁膜として良好な電気的特性や誘電率を有するポリシラザン膜を形成すること。【解決手段】 ポリシラザンの塗布膜が形成されたウエハWに対して、水蒸気雰囲気、減圧雰囲気の下、200°Cの温度で熱処理を行って(予備処理)塗布膜に含まれる溶媒成分を除去する。次いで水蒸気雰囲気、減圧雰囲気の下、390°C以上410°C以下の温度でウエハに対して第1の熱処理を行って、ポリシラザン膜の骨格を形成する。次に水蒸気雰囲気、減圧雰囲気の下、600°C以上800°C以下の温度でウエハに対して第2の熱処理を行って、ポリシラザン膜に含まれるOH基に由来する成分を除去する。このようにして形成されたポリシラザン膜は、凹部への埋め込み性が良好で高密度であり、かつ誘電率が低く、電気的特性が良好であって、例えば半導体デバイスの絶縁膜として良好な特性を有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ポリシラザンの塗布膜が表面に形成された基板を熱処理して、ポリシラザン膜を焼成する熱処理方法において、 処理領域の温度が390°C以上410°C以下の温度に設定された反応容器内にて、水蒸気を反応容器内に供給しながら、前記基板を加熱する第1の熱処理工程と、 次いで処理領域の温度が600°C以上800°C以下の温度に設定された反応容器内にて、水蒸気を反応容器内に供給しながら、前記基板を加熱する第2の熱処理工程と、を含むことを特徴とする熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L21/312 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768
FI (3件)：
H01L21/312 A ,  H01L21/31 E ,  H01L21/90 Q
Fターム (41件)：
5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033SS22 ,  5F033WW03 ,  5F033XX02 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB39 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045BB17 ,  5F045CB05 ,  5F045DP19 ,  5F045EB19 ,  5F045EC09 ,  5F045EE02 ,  5F045EK06 ,  5F045EK22 ,  5F045EK27 ,  5F045EM10 ,  5F058AA06 ,  5F058AA08 ,  5F058AC10 ,  5F058AD01 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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