特許
J-GLOBAL ID：200903094783160366
レーザーアブレーション装置、及びそれを利用したナノ粒子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-244891
公開番号（公開出願番号）：特開2006-075979
出願日： 2005年08月25日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 一つの工程で微細かつ均一なサイズ分布を有するナノ粒子を製造する。【解決手段】 内部に放電空間を設ける反応チャンバ10、反応チャンバの内部に位置するものとして、ターゲット14が装着されるサセプタ12、レーザービームでターゲットをスパッタリングして、放電空間20内に正電荷と負電荷とを含むプラズマ放電を起すレーザー発生部30、及び放電空間に向けて露出される所定位置に正のバイアス電圧を印加して、放電空間から所定位置に負電荷を引きつける高電圧(HV)発生部40を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
内部に放電空間を設ける反応チャンバと、
前記反応チャンバの内部に位置し、ターゲットが装着されるサセプタと、
レーザービームで前記ターゲットをスパッタリングして、前記放電空間内に正電荷と負電荷とを含むプラズマ放電を起すレーザー発生部と、
前記放電空間に露出される所定位置に正のバイアス電圧を印加して、前記放電空間から前記所定位置に前記負電荷を引きつける高電圧発生部と、を備えることを特徴とするレーザーアブレーション装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
-
米国特許第US5,585,020号明細書
-
米国特許第US6,230,572号明細書
審査官引用 (7件)
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