特許
J-GLOBAL ID:200903095177818697

半導体装置の製造方法及びその構造、該方法に用いるリードフレーム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-128896
公開番号(公開出願番号):特開平11-330313
出願日: 1998年05月12日
公開日(公表日): 1999年11月30日
要約:
【要約】【課題】 搭載する半導体素子の仕様によらず、同じリードフレームを用いて半導体素子の樹脂封止を行う半導体装置の製造方法及び、放熱特性、高周波特性に優れ、小型、軽量化の可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 同一平面内に略平行に設けられた複数のリードを有するリードフレームに、複数の半導体素子を搭載して、全体を一括して樹脂封止した後に、各半導体装置に分割する。
請求項(抜粋):
ダイボンドパッド及びワイヤボンドパッドと、該ダイボンドパッド上に搭載された半導体素子と、該半導体素子を埋め込む封止樹脂からなる半導体装置の製造方法であって、間隔をおいて互いに略平行に縦列配置された複数のリードを同一平面内に備えるリードフレームを準備し、上記リードフレームの少なくとも一のリード表面に、複数の半導体素子を横列に固定し、各半導体素子の電極と、縦方向に隣接する他のリードとをそれぞれ電気的に接続し、上記リードの裏面が露出するように、該リードの表面上から上記複数の半導体素子を一体に埋め込む上記封止樹脂を充填し、上記リード及び上記封止樹脂を、上記半導体素子の間で縦方向に切断して、上記半導体素子が搭載された該リードをダイボンドパッドとし、該半導体素子の電極と接続された該リードをワイヤボンドパッドとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/48
FI (3件):
H01L 23/28 A ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/48 S
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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