特許
J-GLOBAL ID:200903095498975220

半導体装置用ボンディングワイヤ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-189915
公開番号(公開出願番号):特開2007-012776
出願日: 2005年06月29日
公開日(公表日): 2007年01月18日
要約:
【課題】 本発明は、パワーIC用途の太径や、低コストを優先する半導体等に、材料費が安価で、ボール接合性、ウェッジ接合性、ループ制御、チップ損傷等に優れた、半導体素子用銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。【解決手段】 銅を主成分とする芯材と、該芯材の上に芯材と異なる組成の導電性金属及び銅を主成分とする外皮層を有するボンディングワイヤであって、前記外皮層の厚さが0.01μm未満であること、及び、前記外皮層内においてワイヤ径方向に導電性金属の濃度勾配を有する領域の厚さが0.01μm未満であることを、特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
銅を主成分とする芯材と、該芯材の上に芯材と成分又は組成の一方又は両方の異なる導電性金属と銅を含有する外皮層を有するボンディングワイヤであって、前記外皮層の厚さが0.001〜0.02μmであることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L21/60 301F
Fターム (2件):
5F044FF02 ,  5F044FF06
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開昭61-99645号公報
  • 特開昭62-97360号公報
  • ボンディングワイヤー
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-239967   出願人:住友電工ウインテック株式会社
審査官引用 (9件)
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