乾燥処理装置および基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374740
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207484
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】洗浄処理が終了した基板を回転させることによって基板に付着した純水を振切った後において、基板上に形成されたライン間、ホール内部およびレジスト膜の内部に進入した水分を確実に乾燥することができる乾燥処理装置、および当該乾燥処理装置を備える基板処理装置を提供する。【解決手段】収容器105内部に加熱プレート112と、有機溶剤の蒸気を吐出する吐出ノズル141と、プロセスガスおよび冷却ガスを供給する吐出ノズル131とが設けられており、排気口151に連通されたポンプ153によって収容器105内の雰囲気を排出して減圧することができる。これにより、(1)減圧雰囲気にて基板Wを有機溶剤の蒸気によって乾燥させる処理と、(2)減圧雰囲気にて基板Wを加熱することによって乾燥させる処理とを実施することができる。そのため、基板Wを効率的に乾燥することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面に付着した洗浄液を回転運動によって振切った後の基板を乾燥させる乾燥処理装置であって、 (a) 収容器と、 (b) 前記収容器内に設けられ、前記基板を気体雰囲気中で保持する保持手段と、 (c) 前記収容器内に有機溶剤を吐出して、前記基板付近に有機溶剤を含む雰囲気を形成する有機溶剤吐出手段と、 (d) 前記収容器内を排気して減圧雰囲気とする減圧手段と、を備えることを特徴とする乾燥処理装置。

IPC (5件)：

H01L21/304 , F26B5/04 , F26B9/06 , F26B21/00 , F26B21/14

FI (8件)：

H01L21/304 651H , H01L21/304 651K , H01L21/304 651L , H01L21/304 651M , F26B5/04 , F26B9/06 A , F26B21/00 C , F26B21/14

Fターム (11件)：

3L113AA01 , 3L113AB02 , 3L113AC08 , 3L113AC20 , 3L113AC24 , 3L113AC67 , 3L113AC78 , 3L113BA34 , 3L113CA16 , 3L113CB35 , 3L113DA04

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体ウエハ遠心乾燥装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-127914 出願人：ソニー株式会社
基板の乾燥方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-028445 出願人：東京エレクトロン株式会社
表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-292884 出願人：株式会社東芝

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