特許
J-GLOBAL ID：200903096114674390

エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法

発明者：
立川 智之

立川 智之 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 岸本 達人 ,  山下 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-219617
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040741
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 フォトリソグラフィー法による利点を有しつつ、エッチングによる絶縁層の欠損を防止し、素子の短絡の欠陥が防止された長寿命で安定な発光が得られる素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に少なくとも第1電極とエレクトロルミネッセント層と第2電極を有し、該エレクトロルミネッセント層の少なくとも1層をフォトリソグラフィー法によりパターニングしてなるエレクトロルミネッセント素子であって、ドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料、又は、特定の珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンを含む絶縁層を有することを特徴とする、エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも第1電極とエレクトロルミネッセント層と第2電極を有し、該エレクトロルミネッセント層の少なくとも1層を、所定のガスを用いたドライエッチングプロセスを含むフォトリソグラフィー法によりパターニングしてなるエレクトロルミネッセント素子であって、前記所定のガスを用いたドライエッチングプロセスにおいて有機化合物との選択比が2.5以上である無機材料を含む絶縁層を有することを特徴とする、エレクトロルミネッセント素子。
IPC (3件)：
H05B 33/22 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
H05B33/22 Z ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (8件)：
3K007AB08 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EB01 ,  3K007FA01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM