特許
J-GLOBAL ID：200903096228420312

記憶セル構造、およびこれを製造する方法

発明者：
シュヴァルツル,ジークフリート

シュヴァルツル,ジークフリート について

, 
シェーラー,ウルリッヒ

シェーラー,ウルリッヒ について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 原 謙三 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-603042
公開番号（公開出願番号）：特表2002-538614
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：
【要約】本発明は、記憶セル構造に関するものであり、ここで、磁気抵抗記憶素子(13)は、セルフィールド(Z1)内の第1の回線(11)と第2の回線(12)との間に配置される。第1の金属被覆面(14)と、第2の金属被覆面(15)と、前記第1の金属被覆面(14)を前記第2の金属被覆面(15)に接続する接触部(16)とは、周辺部(P1)において形成される。第1の回線(11)および第1の金属被覆面(14)と、第2の回線(12)および接触部とは、それぞれ同一平面上に配置されており、それぞれの平面において、1本の導電層を構造化することにより生成されることができる。
請求項（抜粋）：
記憶セル構造であって、 セルフィールドに第1の磁気抵抗記憶素子が設けられており、この磁気抵抗記憶素子は第1の平面で網目状に配置され、それぞれ第1の回線と第2の回線との間に配置されており、 周辺部に少なくとも1つの第1の金属被覆面と、第2の金属被覆面と、接触部とが設けられており、これらの接触部によって、第1の金属被覆面と第2の金属被覆面との間に局所的な電気接続が実現され、 第1の回線および第1の金属被覆面は同一平面に配置されており、 第2の回線および接触部は同一平面に配置されている、記憶セル構造。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 43/08
FI (6件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (8件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA40 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083PR41 ,  5F083PR52
引用特許：
審査官引用 (7件)
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