特許
J-GLOBAL ID：200903096415236541
エキシマ真空紫外光照射処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小林 義孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-323269
公開番号（公開出願番号）：特開2008-140830
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】エキシマ真空紫外光ランプから射光されたエキシマ真空紫外光を効率よくウエハに照射することができ、真空紫外光を利用してウエハの薄膜を良好に改質することができるエキシマ真空紫外光照射処理装置を提供する。【解決手段】エキシマ真空紫外光照射処理装置10は、ウエハ16を収容するチャンバー12と、チャンバー12内を真空に保持する真空ポンプ13と、チャンバー12内に窒素を供給するガス供給装置14と、チャンバー12内に収容されたウエハ16を所定温度に加熱するヒータ15と、チャンバー12内に収容されたウエハ16の薄膜にエキシマ真空紫外光を照射するエキシマ真空紫外光ランプ21とを備えている。装置10では、ランプ21がチャンバー12内に露出しつつ、真空状態にあるチャンバー12内に収容されたウエハ16の薄膜に真空紫外光を直接照射する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一面に薄膜が形成されたウエハを収容する処理室と、前記処理室内を真空に保持する真空装置と、前記処理室内に収容されたウエハを所定温度に加熱する加熱装置と、前記処理室内に収容されたウエハの薄膜にエキシマ真空紫外光を照射するエキシマ真空紫外光ランプとを備え、前記エキシマ真空紫外光ランプが、前記処理室内に露出しつつ、真空状態にある前記処理室内に収容されたウエハの薄膜にエキシマ真空紫外光を直接照射可能であることを特徴とするエキシマ真空紫外光照射処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, G21K 5/00
, B08B 7/00
H01L21/304 645D
, G21K5/00 Z
, G21K5/00 B
, H01L21/304 648G
, B08B7/00
3B116AA03
, 3B116AB42
, 3B116BB82
, 3B116BC01
, 3B116CA03
, 3B116CD11
, 3B116CD31
, 3B116CD41
出願人引用 (8件)
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ウエハドライ洗浄装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-229025
出願人：株式会社東京カソード研究所
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半導体装置の製造方法および半導体製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-291742
出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 宮崎沖電気株式会社, 清本鐵工株式会社, 日之出酸素株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 福豊帝酸株式会社, 沖電気工業株式会社
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エキシマ光照射装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-320248
出願人：ウシオ電機株式会社
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審査官引用 (5件)
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