特許
J-GLOBAL ID：200903096508455278
ショットキバリアダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-300801
公開番号（公開出願番号）：特開2008-117979
出願日： 2006年11月06日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：
【課題】低オン抵抗・高耐圧を有しIII族窒化物半導体を用いるショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】窒化ガリウムフィールドプレート層17は、III族窒化物半導体ドリフト領域13の第1のエリア13bを覆う。窒化ガリウムフィールドプレート層17は、第2のエリア13cに開口19を有する。ショットキ導電部15aは、開口19においてIII族窒化物半導体ドリフト領域13の第2のエリア13cにショットキ接合21を成すことにより、オン抵抗を高くすることがない。オーバーラップ導電部15bは、窒化ガリウムフィールドプレート層17上に設けられる。窒化ガリウム系材料とは異なる材料から成る絶縁物(例えばSiOX、SiN、SiON)とIII族窒化物半導体との界面が形成されない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のエリアおよび第2のエリアを含む主面を有するIII族窒化物半導体ドリフト領域と、
ショットキ導電部およびオーバーラップ導電部を含む電極と、
前記III族窒化物半導体ドリフト領域の前記第1のエリアを覆うと共に前記第2のエリアに開口を有する窒化ガリウムフィールドプレート層と
を備え、
前記ショットキ導電部は、前記窒化ガリウムフィールドプレート層の前記開口において前記III族窒化物半導体ドリフト領域の前記第2のエリアにショットキ接合を成し、
前記オーバーラップ導電部は、前記窒化ガリウムフィールドプレート層上に設けられる、ことを特徴とするショットキバリアダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 F
, H01L29/48 D
4M104AA04
, 4M104BB09
, 4M104BB36
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD18
, 4M104FF10
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 4M104HH20
出願人引用 (9件)
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特開平3-004563
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エピタキシャル基板および半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-005671
出願人：住友電気工業株式会社
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窒化ガリウム半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-001122
出願人：ヴェロックスセミコンダクターコーポレーション
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審査官引用 (9件)
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