基板処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：赤澤日出夫 , ▲橋▼場満枝 , 石戸久子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-273131
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093194
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】 1つの基板処理装置において、複数種類の成膜処理を行う場合に、温度帯によらず、高精度で且つ制御性能の高い温度制御を行うことができる基板処理装置を得る。【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室内の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段による検出温度に基づいて、前記加熱手段への電力供給値を求める電力供給値算出手段と、前記電力供給値算出手段が算出した電力供給値と前記検出温度との相関関係が一次関数で表せるように前記電力供給値を補正する補正手段と、前記補正手段により補正された前記電力供給値の補正値に基づいて、前記加熱手段への電力を制御する加熱制御手段とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室内の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段による検出温度に基づいて、前記加熱手段への電力供給値を求める電力供給値算出手段と、前記電力供給値算出手段が算出した電力供給値と前記検出温度との相関関係が一次関数で表せるように前記電力供給値を補正する補正手段と、前記補正手段により補正された前記電力供給値の補正値に基づいて、前記加熱手段への電力を制御する加熱制御手段とを備える基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/22

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L21/22 501N , H01L21/22 511Q

Fターム (12件)：

4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045GB05 , 5F045GB17

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-283020 出願人：株式会社日立国際電気
プロセス制御方法及びそれを用いる電子デバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-113934 出願人：国際電気株式会社
特開平3-215670

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