特許
J-GLOBAL ID：200903097539590480

半導体センサー装置およびその製造方法

発明者：
青野 宇紀

青野 宇紀 について

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岡田 亮二

岡田 亮二 について

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風間 敦

風間 敦 について

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高田 良晶

高田 良晶 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-317972
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091845
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】 MEMS基板を気密封止する半導体センサー装置において、気密封止するキャップ基板をグラインディング、ダイシングにより個片化する工程で、キャップチップが破損する可能性がある。【解決方法】 MEMS基板の上下面にキャップ基板を接合した後、ウェットエッチングで薄肉化と個片化する方法で、キャップチップの破損を防止することができた。また、キャップチップ側面を2面以上とし側面角部を鈍角とすることで、モールド樹脂材料に入るクラックを低減できた。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
可動部を有するMEMSチップと、MEMSチップの少なくとも可動部を密封するキャ ップチップで形成されたMEMS組立体を、配線基板もしくは回路基板にMEMS組立体 を固着し、MEMSチップと回路基板、回路基板と配線基板は配線で接続され、配線基板 上の回路基板と配線、MEMS組立体を樹脂部材で封止した半導体センサー装置であって 、MEMS組立体の少なくともMEMSチップ側面とキャップチップ側面が、ウェットエ ッチング面で形成されていることを特徴とする半導体センサー装置。
IPC (7件)：
H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  G01P 15/18 ,  G01P 15/12 ,  G01P 15/08 ,  B81B 3/00 ,  B81C 3/00
FI (7件)：
H01L23/28 C ,  H01L21/56 T ,  G01P15/00 K ,  G01P15/12 D ,  G01P15/08 P ,  B81B3/00 ,  B81C3/00
Fターム (9件)：
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DB07 ,  4M109GA10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061FA06
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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