特許
J-GLOBAL ID：200903097830005594

半導体装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法および電気光学装置

発明者：
石黒 英人

石黒 英人 について

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松尾 稔

松尾 稔 について

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村井 博之

村井 博之 について

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林 正美

林 正美 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について

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三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257697
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085695
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 導電型の異なるTFTを同一基板上に形成するにあたり、少ない工程数でTFTのLDD長またはオフセット長のばらつきを抑えられる半導体装置並びにアクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置を提供する。【解決手段】 アクティブマトリクス基板の製造方法において、ゲート電極15、25を形成するのに用いたパターニング用マスク554を残して、中濃度のリンイオンを導入すると、パターニング用マスク554に対してセルフアライン的に不純物が導入される。次に、パターニング用マスク554を除去した状態でゲート電極15、25をマスクにして低濃度のリンイオンを導入すると、ゲート電極15、25に対してセルフアライン的に低濃度ソース・ドレイン領域111、121、211、221が形成され、そのLDD長は、ゲート電極15、25をパターニングしたときに起こるサイドエッチング量と常に等しく一定である。
請求項（抜粋）：
基板上に第1導電型の薄膜トランジスタと第2導電型の薄膜トランジスタとを形成する半導体装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタを構成する半導体膜の表面に第1のゲート絶縁膜を形成する第1のゲート絶縁膜形成工程と、前記第1のゲート絶縁膜の表面にゲート電極形成用導電膜を形成した後、前記第1導電型の薄膜トランジスタの側に当該ゲート電極形成用導電膜を残す一方、前記第2導電型の薄膜トランジスタ側には当該ゲート電極形成用導電膜をパターニングして前記第2導電型の薄膜トランジスタのゲート電極を形成する第1のゲート電極形成工程と、前記ゲート電極形成用導電膜および前記第2導電型の薄膜トランジスタのゲート電極をマスクにして前記半導体膜に高濃度第2導電型不純物を導入する高濃度第2導電型不純物導入工程と、前記第1導電型の薄膜トランジスタの側に残した前記ゲート電極形成用導電膜の表面に該ゲート電極形成用導電膜のパターニング用マスクを形成するとともに、該パターニング用マスクで前記第2の薄膜トランジスタの側を覆った状態で前記ゲート電極形成用導電膜をパターニングして前記第1導電型の薄膜トランジスタのゲート電極を形成する第2のゲート電極形成工程と、前記パターニング用マスクを残したまま高濃度第1導電型不純物を導入する第1の高濃度第1導電型不純物導入工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1365
FI (7件)：
H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 627 C
Fターム (50件)：
2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092JB69 ,  2H092KA10 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA12 ,  2H092MA18 ,  2H092MA27 ,  2H092MA41 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA13 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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