特許
J-GLOBAL ID：200903098632026469

半導体装置の製造方法

発明者：
山根 千種

山根 千種 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326136
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134611
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】コンタクトホールの形状変化を防止でき、低抵抗かつ抵抗のばらつきの少ないコンタクト部を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板に形成された導電体層上に絶縁層を形成する工程と、導電体層に達する開口部を絶縁層に形成する工程と、開口部底部の導電体層表面に形成される自然酸化膜を、プラズマエッチングにより除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチングはフッ素化合物ガス(好適にはNF3 )を所定濃度(好適にはほぼ10%以下)で含むエッチングガスを用いて所定圧力で行われ、所定濃度および所定圧力は自然酸化膜のエッチング量が制御可能となる範囲で設定される半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板に形成された導電体層上に、絶縁層を形成する工程と、前記導電体層に達する開口部を前記絶縁層に形成する工程と、前記開口部底部の前記導電体層表面に形成される自然酸化膜を、プラズマエッチングにより除去する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記プラズマエッチングは、フッ素化合物ガスを所定濃度で含むエッチングガスを用いて所定圧力で行われ、前記所定濃度および前記所定圧力は、前記自然酸化膜のエッチング量が制御可能となる範囲で設定される半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/28 A ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 N
Fターム (49件)：
4M104AA01 ,  4M104CC01 ,  4M104DD23 ,  4M104FF22 ,  4M104HH15 ,  5F004AA13 ,  5F004BA04 ,  5F004BA12 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004EB02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033XX09
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (6件)
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