特許
J-GLOBAL ID：200903098638953965
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-151287
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013474
出願日： 2005年05月24日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極を具備した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 この窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれn型半導体層およびp型半導体層に接して設けられている発光素子において、該正極が少なくともp型半導体層と接するコンタクトメタル層を含み、該コンタクトメタル層上のコンタクトメタル層よりも導電率の大きい電流拡散層および該電流拡散層上のボンディングパッド層からなる透光性電極を有し、該p型半導体層の正極側表面にコンタクトメタル層を形成する金属を含む正極金属混在層が存在する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層、発光層およびp型半導体層がこの順序で積層されてなり、負極および正極がそれぞれn型半導体層およびp型半導体層に接して設けられている発光素子であって、該正極が少なくともp型半導体層と接するコンタクトメタル層を具備し、さらに該コンタクトメタル層上にコンタクトメタル層よりも導電率の大きい電流拡散層を具備し、さらに該電流拡散層上にボンディングパッド層を具備した3層構造からなる透光性電極を有しており、該p型半導体層の正極側表面にコンタクトメタル層を形成する金属を含む正極金属混在層が存在することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA21
, 5F041AA42
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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