特許
J-GLOBAL ID：200903099156091920

化学気相成長装置

発明者：
山向 幹雄

山向 幹雄 について

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川原 孝昭

川原 孝昭 について

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多留谷 政良

多留谷 政良 について

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堀川 剛

堀川 剛 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295167
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142468
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 装置内の残渣等の異物の発生が低減される化学気相成長装置を提供する。【解決手段】 化学気相成長装置は、CVD原料容器、気化器、反応器11を備えている。反応器11は、反応室11e、ガスヘッド11aおよびウエハステージ11bを有している。ガスヘッド11aには、CVD原料ガスと酸素ガスとを吹出すための複数のガスノズル11dが設けられている。ガスヘッド11aはセラミックブロック45を介して反応室内壁12に固定されている。ガスノズル11dの近傍には、所定の反射率を超える処理が施され、表面が平滑化処理されたアルミコーティング層46が形成されている。
請求項（抜粋）：
金属化合物を溶媒に溶解させたCVD原料を貯蔵する原料容器と、前記原料容器と接続され、前記原料容器から供給されたCVD原料を気化する気化器と、前記気化器と接続され、前記気化器から送られた気化したCVD原料を吹付けて基板上に薄膜を形成する反応器とを備えた化学気相成長装置であって、前記反応器は、基板を加熱するための加熱手段と前記気化されたCVD原料を前記基板に吹付けるためのガスノズルを有し、前記ガスノズルの表面に、熱線に対して所定の反射率を超える処理か、または、熱線に対して所定の熱吸収性を超える処理が施されている、化学気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/455
FI (2件)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/455
Fターム (18件)：
4K030EA01 ,  4K030EA04 ,  4K030JA10 ,  4K030KA09 ,  4K030KA24 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  4K030LA19 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045BB03 ,  5F045CA05 ,  5F045DP03 ,  5F045EC05 ,  5F045EE02 ,  5F045EF05 ,  5F045EF11
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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