微細回路配線形成方法およびこれに用いる装置

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小野信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-099970
公開番号（公開出願番号）：特開2003-293193
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：

【要約】【課題】銅めっきにより形成する銅配線の、銅原子そのものの移動を、鈍化・抑制させ、マイグレーションを防ぐ手段を提供すること。【解決手段】微細な回路パターンが設けられ、バリア層および必要によりシード層が形成された電子回路用基板上に、銅合金めっきによる第1めっき層と、酸性銅めっきによる第2めっき層を形成することを特徴とする微細回路配線の形成方法並びに第1めっき層を形成させるための銅合金めっき手段、第2めっき層を形成させるための酸性銅めっき手段およびこれらを水洗するための水洗手段と、電子回路用基板を搬入・搬出するための手段を有する微細回路配線形成装置。

請求項（抜粋）：

微細な回路パターンが設けられ、バリア層および必要によりシード層が形成された電子回路用基板上に、銅合金めっきによる第1めっき層と、銅めっきによる第2めっき層を形成することを特徴とする微細回路配線の形成方法。

IPC (10件)：

C25D 7/12 , C25D 5/10 , C25D 5/50 , C25D 7/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/288 , H01L 21/3205 , H05K 3/18 , H05K 3/22 , H05K 3/24

FI (11件)：

C25D 7/12 , C25D 5/10 , C25D 5/50 , C25D 7/00 J , H01L 21/28 301 R , H01L 21/288 E , H05K 3/18 M , H05K 3/22 Z , H05K 3/24 A , H01L 21/88 R , H01L 21/88 M

Fターム (66件)：

4K024AA09 , 4K024AA15 , 4K024AB02 , 4K024AB08 , 4K024BB11 , 4K024BB12 , 4K024CA01 , 4K024CA02 , 4K024CA03 , 4K024CA04 , 4K024CA06 , 4K024DB01 , 4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 5E343AA07 , 5E343BB14 , 5E343BB16 , 5E343BB24 , 5E343BB55 , 5E343CC78 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343EE02 , 5E343ER32 , 5E343ER39 , 5E343GG08 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ15 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX05

引用特許：

審査官引用 (8件)

金属シ-ド層を挿入する構造の銅の相互接続
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-117513 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-004004 出願人：松下電子工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-253802 出願人：松下電器産業株式会社

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