特許
J-GLOBAL ID：200903099302472086
異なる相変化材料を有する低電力相変化メモリセル
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-179476
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072088
出願日： 2007年07月09日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】メモリ状態を変化させるために必要な電力を低減し、より微細な各選択デバイスの使用を可能とするメモリセルの提供。【解決手段】メモリセルは、第1の電極120と、対向する第2の電極122と、上記第1の電極と上記第2の電極との間にて展開されるメモリスタック124とを有している。上記メモリスタックは、上記第1の電極に接触している、熱的絶縁材の第1の層126と、上記第2の電極に接触している、熱的絶縁材の第2の層128と、上記第1および上記第2の各層間の相変化材料130とを有している。上記メモリセルにおいて、上記相変化材料は、アクティブ領域140の幅D3が、上記第1の層および上記第2の層のいずれかの幅D1、D2の1つより小さく限定されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の電極と、
対向する第2の電極と、
上記第1の電極に接触している熱的絶縁材の第1の層、上記第2の電極に接触している熱的絶縁材の第2の層、並びに、熱的絶縁材の上記第1および上記第2の各層間の相変化材料を含むメモリスタックとを有し、
上記相変化材料は、上記相変化材料のアクティブ領域の幅が、上記熱的絶縁材の第1の層、および上記熱的絶縁材の第2の層のいずれかの幅より小さく限定されている、メモリセル。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, G11C 13/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
, G11C13/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083GA21
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA56
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083PR06
, 5F083PR40
, 5F083ZA21
