特許
J-GLOBAL ID：200903099745241133

化学増幅型ホトレジスト組成物、ホトレジスト層積層体、ホトレジスト組成物製造方法、ホトレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法

発明者：
鷲尾 泰史

鷲尾 泰史 について

, 
斎藤 宏二

斎藤 宏二 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146231
公開番号（公開出願番号）：特開2004-347951
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】放射線照射前にアルカリ溶解性が変化することのない安定な化学増幅型ホトレジスト組成物、該ホトレジスト組成物を支持体に積層させたホトレジスト層積層体、及びこれを用いたホトレジストパターンの製造方法、及び接続端子の製造方法を提供すること。【解決手段】a)酸によりアルカリ溶解性が変化する樹脂、(b)放射線照射により酸を発生する化合物及び(c)防錆剤を含有することを特徴とする化学増幅型ホトレジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(a)酸によりアルカリ溶解性が変化する樹脂、(b)放射線照射により酸を発生する化合物及び(c)防錆剤を含有することを特徴とする化学増幅型ホトレジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  H01L21/60
FI (5件)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/92 604S
Fターム (14件)：
2H025AA00 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17
引用特許：
審査官引用 (13件)
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