特許
J-GLOBAL ID：200903099809024620

薄膜デバイス

発明者：
桑島 一

桑島 一 について

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宮崎 雅弘

宮崎 雅弘 について

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古屋 晃

古屋 晃 について

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伊東 正弘

伊東 正弘 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-041227
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220985
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】薄膜デバイスにおける導体層と端子電極との接続信頼性を高めると共に、端子電極の形状や位置のばらつきを抑制する。【解決手段】薄膜デバイス1は、基板と、この基板の上に順に積層された絶縁層、下部導体層、誘電体膜、絶縁層、上部導体層および保護膜8と、端子電極11〜14を備えている。端子電極11〜14は、上部導体層の端面の一部と、この端面に続く上部導体層の上面の一部とに接触している。保護膜8は、その外縁から内側に凹んだ形状をなして上部導体層の上面のうち端子電極11〜14に接触する部分を露出させる凹部81〜84を有している。凹部81〜84は端子電極11〜14の一部を収容している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに反対側を向く第1および第2の面と、前記第1の面と第2の面とを連結する側面とを有する基板と、 前記第1の面に対向するように配置された保護膜と、 前記第1の面に対向する下面と、その反対側の上面と、前記下面と上面とを連結する端面とを有し、前記第1の面と保護膜との間に配置された導体層と、 前記導体層に接続された端子電極とを備えた薄膜デバイスであって、 前記端子電極は、前記導体層の端面の一部と、この端面に続く前記導体層の上面の一部とに接触し、 前記保護膜は、その外縁から内側に凹んだ形状をなして前記導体層の上面のうち前記端子電極に接触する部分を露出させる凹部を有し、前記凹部は前記端子電極の一部を収容することを特徴とする薄膜デバイス。
IPC (1件)：
H01G 4/33
FI (1件)：
H01G4/06 102
Fターム (12件)：
5E082AB01 ,  5E082DD11 ,  5E082EE05 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082EE47 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082KK08
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (4件)
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