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J-GLOBAL ID：201002245108909485   整理番号：10A1026832

Aサイト変性したペロブスカイトナノシートと清浄表面の高κ絶縁体薄膜中への集積

A-Site-Modified Perovskite Nanosheets and Their Integration into High-κ Dielectric Thin Films with a Clean Interface

著者 (17件)： LI Bao-Wen (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  LI Bao-Wen (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  OSADA Minoru (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  OSADA Minoru (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  OZAWA Tadashi C. (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  OZAWA Tadashi C. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  AKATSUKA Kosho (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  AKATSUKA Kosho (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  EBINA Yasuo (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  EBINA Yasuo (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MA Renzi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  MA Renzi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  ONO Kanta (High Energy Accelerator Res. Organization, Ibaraki, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SASAKI Takayoshi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  SASAKI Takayoshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SASAKI Takayoshi (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 9,Issue 2  ページ： 09MA01.1-09MA01.5  発行年： 2010年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Aサイト変性が誘電特性に及ぼす影響を調べるためにLa_1-xEu_xNb₂O₇ペロブスカイトナノシートの誘電特性を調べた。Langmuir-Blodgett堆積を採用してペロブスカイトナノシートの多層ナノ膜を作製した。このナノシートではAサイトをEu³⁺イオンで変性すると漏れ電流特性が改善され,同時に誘電率が減少する。La_0.95Nb₂O₇ナノシートをEu³⁺イオンでわずかに変性するとε_r値が50%減少した。また,第一原理計算及び界面構造に基づく詳細な研究によりLa_0.95Nb₂O₇ナノシートの高κ特性を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 誘電材料 ,  *ランタン化合物 ,  *ニオブ酸塩 ,  ユウロピウム ,  置換型固溶体 ,  Langmuir-Blodgett膜 ,  多層膜 ,  *ナノ構造 ,  *膜 ,  漏れ電流 ,  第一原理 ,  計算機シミュレーション ,  界面 ,  膜厚 ,  *ナノシート

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (33件)：

• J. F. Scott: Annu. Rev. Mater. Sci.28(1998)79.
• M. Dawber, K. M. Rabe, and J. F. Scott: Rev. Mod. Phys.77(2005)1083.
• C. S. Hwang, S. O. Park, H. J. Cho, C. S. Kang, H. K. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee: Appl. Phys. Lett.67(1995)2819.
• C. S. Hwang: J. Appl. Phys.92(2002)432.
• D. J. Kim, J. Y. Jo, Y. S. Kim, Y. J. Chang, J. S. Lee, J. G. Yoon, T. K. Song, and T. W. Noh: Phys. Rev. Lett.95(2005)237602.

タイトルに関連する用語 (6件)： 変性 ,  清浄表面 ,  高 ,  絶縁体 ,  薄膜 ,  集積