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J-GLOBAL ID:200902248249676032   整理番号:09A0910427

HfドープNb合金膜を使って作製した陽極酸化薄膜キャパシタの損失特性

Loss Properties of Anodized Thin-Film Capacitors Fabricated Using Hf-Doped Nb Alloy Films
著者 (7件):
資料名:
巻: 48  号: 8,Issue 1  ページ: 085504.1-085504.4  発行年: 2009年08月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Nb陽極酸化薄膜キャパシタの損失特性を改善するため,Nb-Hf合金膜とNb-Hf陽極薄膜キャパシタを調製した。一例として,酸化物厚が160nmのNb-Hf(7at.%)陽極酸化薄膜キャパシタを純粋Nbのものと比較した。Nb陽極酸化キャパシタの損失と漏れ電流の特性はHfドーピングによって著しく改善され,ほぼ同じ容量密度と相対誘電率は保たれた。また,Nb-Hf(7at.%)陽極酸化キャパシタの損失特性の改善は,Auger電子分光法の深さ分析で決定したように,下部酸化物がなく,Nb2O5とHfO2の均一な複合酸化物が形成されて生じることが明らかになった。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
誘電体一般  ,  LCR部品 

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