SHIBATA Tomoharu について
Kitami Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
KIMIZAKI Hidefumi について
Kitami Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
SHINKAI Satoko について
Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN について
SASAKI Katsutaka について
Kitami Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
YANAGISAWA Hideto について
Kitami Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
YAMANE Misao について
Kitami Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
ABE Yoshio について
Kitami Inst. of Technol., Hokkaido, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
ニオブ について
酸化ニオブ について
ハフニウム について
ドーピング について
ニオブ合金 について
ハフニウム含有合金 について
金属薄膜 について
誘電体薄膜 について
酸化ハフニウム について
マグネトロンスパッタリング について
スパッタ蒸着 について
薄膜コンデンサ について
誘電正接 について
漏れ電流 について
静電容量 について
誘電率 について
Augerスペクトル について
アノード酸化 について
酸化物 について
複合酸化物 について
陽極酸化 について
誘電体一般 について
LCR部品 について
HF について
ドープ について
Nb合金 について
作製 について
陽極酸化 について
薄膜キャパシタ について
損失 について