ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-227754
公開番号（公開出願番号）：特開2010-060952
出願日： 2008年09月05日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が一般式(1)で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。(R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Xは単結合又はメチレン基を示す。mは1又は2である。なお、m個の水酸基は二級炭素原子に結合する。)【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にArFリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が下記一般式(1)で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (6件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , G03F 7/11 , G03F 7/38 , H01L 21/027 , C08F 20/26

FI (6件)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 503A , G03F7/11 501 , G03F7/38 501 , H01L21/30 502R , C08F20/26

Fターム (49件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025DA03 , 2H025DA34 , 2H025FA01 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096DA10 , 2H096EA05 , 2H096GA09 , 4J100AJ02Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL26P , 4J100AL26Q , 4J100AL26R , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA11R , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA16Q , 4J100BA16R , 4J100BB07Q , 4J100BB17Q , 4J100BB18Q , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC07Q , 4J100BC07R , 4J100BC08Q , 4J100BC12Q , 4J100BC15R , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100DA01 , 4J100FA03 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050264 出願人：富士通株式会社
レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312722 出願人：富士通株式会社
フォトレジスト用化合物およびフォトレジスト用樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-135624 出願人：ダイセル化学工業株式会社

審査官引用 (6件)

化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-270431 出願人：松下電器産業株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-392514 出願人：JSR株式会社
マレイミド系共重合体及びレジスト用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-034128 出願人：ダイセル化学工業株式会社

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