特許
J-GLOBAL ID：201003006905560470

III族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法

発明者：
塙 健三

塙 健三 について

, 
佐々木 保正

佐々木 保正 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  田崎 豪治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-181868
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021439
出願日： 2008年07月11日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】全面均一平坦シード層を用い、かつp型半導体層のキャリア濃度を増大化させ、信頼性の高い高輝度のLED等を得る。【解決手段】サファイア基板11表面に、シード層12として、縦断面TEM(透過型電子顕微鏡)写真の200nm観察視野において結晶粒界が観察されないAlN結晶膜を形成させ、ついでIII族窒化物半導体からなる、n型半導体層14、発光層15およびp型半導体層16を積層してなるIII族窒化物半導体積層構造体20を製造するに際し、下記(A)〜(D)から選ばれる少なくとも1種の方法を用いてp型半導体層のキャリア濃度を増大化させる。(A)p型半導体層の成膜をN2主体のキャリアガスを用いて行なう。(B)p型半導体層の成膜終了後の冷却中の雰囲気をN2主体にする。(C)得られたIII族窒化物半導体積層構造体を熱処理する。(D)得られたIII族窒化物半導体積層構造体をN2プラズマ処理する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
サファイア基板表面に、シード層として、縦断面TEM(透過型電子顕微鏡)写真の200nm観察視野において結晶粒界が観察されないAlN結晶膜を形成させ、ついでIII族窒化物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層を積層してなるIII族窒化物半導体積層構造体を製造するに際し、下記(A)〜(D)から選ばれる少なくとも1種の方法を用いてp型半導体層におけるp型ドーパントのキャリア濃度を増大化させることを特徴とするIII族窒化物半導体積層構造体の製造方法。 (A)p型半導体層の成膜をN2主体のキャリアガスを用いて行なう。 (B)p型半導体層の成膜終了後の冷却中の雰囲気をN2主体にする。 (C)得られたIII族窒化物半導体積層構造体を熱処理する。 (D)得られたIII族窒化物半導体積層構造体をN2プラズマ処理する。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/34
FI (4件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  C23C14/06 A ,  C23C16/34
Fターム (49件)：
4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC35 ,  4K029FA04 ,  4K029FA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030JA10 ,  4K030JA14 ,  4K030LA14 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041FF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AF09 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045HA16
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (4件)
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