特許
J-GLOBAL ID:201003011936346063
固体撮像装置及び電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-169447
公開番号(公開出願番号):特開2010-010487
出願日: 2008年06月27日
公開日(公表日): 2010年01月14日
要約:
【課題】MOS型固体撮像装置における読み出し特性の改善を図る。【解決手段】単位画素内に、第1のフォトダイオード64と、第2のフォトダイオード65とからなる光電変換部43を有し、第2のフォトダイオード65が、転送ゲート電極72近傍に位置し、第1のフォトダイオード64よりも高い不純物濃度を有している。【選択図】図4
請求項(抜粋):
光電変換部と、
フローティングディフージョン部と、
n型半導体による転送ゲート電極と、
前記転送ゲート電極の前記光電変換部側に絶縁膜を介して形成されたn型半導体によるサイドウォールと、
前記転送ゲート電極の前記フローティングディフージョン部側に形成された絶縁層によるサイドウォールと
を有する固体撮像装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L27/14 A
, H04N5/335 U
Fターム (15件):
4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA33
, 5C024BX01
, 5C024BX07
, 5C024CX03
, 5C024GX03
, 5C024GX14
, 5C024GY31
, 5C024JX21
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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