特許
J-GLOBAL ID：201003012028567302

III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
守山 実希

守山 実希 について

, 
五所野尾 浩一

五所野尾 浩一 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-254286
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087217
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
【課題】n型層の透光性などを悪化させることなしにn電極の接触抵抗が低減されたIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。【解決手段】発光素子1のn型層11は、サファイア基板10上に第1n型層111、第2n型層112、第3n型層113の順に積層された構造であり、V/Alからなるn電極16は第2n型層112上に形成されている。第1n型層111、第2n型層112はn-GaNであり、第3n型層113はn-InGaNである。第2n型層112のn型不純物濃度は、第1n型層111、第3n型層113のn型不純物濃度よりも高い。この構造によると、第2n型層112が露出するまで正確にエッチングすることができ、n型層11の透光性などを悪化させることなくn電極16の接触抵抗を低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
成長基板上にIII 族窒化物半導体からなるn型層、活性層、p型層が順に積層され、エッチングにより露出した前記n型層上にn電極が形成され、前記p型層上にp電極が形成された発光素子において、 前記n型層は、前記成長基板に近い側から第1n型層、第2n型層、第3n型層の順に積層された構造であり、 前記第2n型層と前記第3n型層の構成元素は異なり、 前記第2n型層は、前記第1n型層および前記第3n型層よりもn型不純物濃度が高く、 前記n電極は、前記第2n型層上に形成されている、 ことを特徴とする発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/32 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/205
Fターム (17件)：
5F004AA02 ,  5F004AA16 ,  5F004CB02 ,  5F004DB19 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
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