特許
J-GLOBAL ID：200903067558238006
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-359616
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191635
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 絶縁性基板を用いる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、動作電圧の低減を図るとともに、結晶成長時のクラックの発生を抑制し製造歩留まりを向上させる。【解決手段】 絶縁性の基板1の上にn型層3と発光層とp型層5,6とを順次形成した積層構造を有し、n型層3の表面上にn側電極8を形成する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、n型層3を、基板1側から順に第1のn型層31とこの第1のn型層31よりもキャリア濃度が高い第2のn型層32とを少なくとも積層体とする。ここで、第1のn型層31のキャリア濃度は1×1016〜2×1018cm-3及び第2のn型層32のキャリア濃度は2×1018〜1×1019cm-3の範囲とすることが最適であり、それぞれの層厚は1〜5μm及び0.1〜0.5μmの範囲とすることが好ましい。
請求項（抜粋）：
絶縁性の基板の上にn型層と発光層とp型層とを順次形成した積層構造を有し、前記p型層及び発光層の一部を前記基板の積層構造形成面側から除去して露出させたn型層の表面上に電極を形成する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型層は、前記基板側から順に第1のn型層と第1のn型層よりもキャリア濃度が高い第2のn型層とを少なくとも含み、前記電極を前記第2のn型層に設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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