特許
J-GLOBAL ID:201003013636146154

ホトレジスト組成物の製造方法、ろ過装置、及び塗布装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-030647
公開番号(公開出願番号):特開2010-140050
出願日: 2010年02月15日
公開日(公表日): 2010年06月24日
要約:
【課題】現像後のレジストパターンのディフェクトの発生を抑制できるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。また、異物経時特性(保存安定性)に優れるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。そして、さらに好ましくは、処理前後で感度やレジストパターンサイズの変化が起こりにくいホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。【解決手段】樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含むホトレジスト組成物を、孔径が0.04μm以下のナイロン膜からなる第1の膜を備えた第1のフィルタを通過させる工程を有し、且つ前記第1のフィルタを通過させる工程の前後の一方又は両方に、さらに、該ホトレジスト組成物を、ポリオレフィン樹脂またはフッ素樹脂製の第2の膜を備えた第2のフィルタを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含むホトレジスト組成物を、孔径が0.04μm以下のナイロン膜からなる第1の膜を備えた第1のフィルタを通過させる工程を有し、且つ前記第1のフィルタを通過させる工程の前後の一方又は両方に、さらに、該ホトレジスト組成物を、ポリオレフィン樹脂またはフッ素樹脂製の第2の膜を備えた第2のフィルタを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。
IPC (7件):
G03F 7/26 ,  H01L 21/027 ,  B01D 61/14 ,  B01D 61/58 ,  B01D 71/26 ,  B01D 71/36 ,  B01D 71/56
FI (7件):
G03F7/26 ,  H01L21/30 502R ,  B01D61/14 500 ,  B01D61/58 ,  B01D71/26 ,  B01D71/36 ,  B01D71/56
Fターム (22件):
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA14 ,  2H096CA20 ,  2H096JA02 ,  4D006GA02 ,  4D006JA67 ,  4D006KA16 ,  4D006KA52 ,  4D006KA53 ,  4D006KA56 ,  4D006KA57 ,  4D006MA22 ,  4D006MB20 ,  4D006MC22 ,  4D006MC23 ,  4D006MC30 ,  4D006MC55 ,  4D006PA01 ,  4D006PB13 ,  4D006PC01
引用特許:
審査官引用 (8件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • 半導体産業新聞, 19971105, 第10面

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