特許
J-GLOBAL ID：201003021204925791

固体撮像素子および電子情報機器

発明者：
永井 謙一

永井 謙一 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-240089
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073906
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】従来のように部品点数の増加や制御が複雑化せず、また、従来のように画素毎にウェルコンタクトを形成することなく、固定パターンノイズの発生、飽和レベル差(飽和シェーディング)、集光の減少を伴うことなく、ウェルのグランド電位の固定を行う。【解決手段】Pウェル3とN基板2との間に、Pウェルと同一導電型でかつ不純物濃度が一導電型のウェルよりも高い高濃度Pウェル層8が配設されているため、抵抗値の低い高濃度Pウェル層8により画素アレイ部40の中央部と周辺部とで電圧降下に大きな差がなくなることから、Pウェル3のグランド電位をより安定的に固定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板または半導体領域の上方にウェル層が設けられ、該ウェル層内で、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の光電変換素子が2次元アレイ状に配置された画素アレイ部を有する固体撮像素子において、 該ウェル層と該半導体基板または半導体領域との間に、該ウェル層と同一導電型でかつ不純物濃度が該ウェル層よりも高い高濃度ウェル層が配設された固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/14 B ,  H04N5/335 U
Fターム (19件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA50 ,  5C024BX01 ,  5C024CX04 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX17 ,  5C024JX21
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (12件)
  • 特開昭62-206878
  • 特開平4-158575
  • 特開平4-158575
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