電界効果トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：酒井宏明 , 田代至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-061709
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219151
出願日： 2009年03月13日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】耐圧性が高い電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】p型の導電型を有する基板と、前記基板上に形成された高抵抗層と、前記高抵抗層上に形成され、p型の導電型を有するp型半導体層を前記基板側に配置したリサーフ構造を有する半導体動作層と、前記半導体動作層上に形成されたソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極と、を備える。好ましくは、前記リサーフ構造は、前記p型半導体層上に形成されたn型の導電型を有するリサーフ層を備える。また、好ましくは、前記リサーフ構造は、前記p型半導体層上に形成されたアンドープのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成され該キャリア走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるキャリア供給層とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型の導電型を有する基板と、前記基板上に形成された高抵抗層と、前記高抵抗層上に形成され、p型の導電型を有するp型半導体層を前記基板側に配置したリサーフ構造を有する半導体動作層と、前記半導体動作層上に形成されたソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極と、を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/78 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (9件)：

H01L29/78 301B , H01L29/80 H , H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/78 618F , H01L29/78 616A , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B , H01L29/50 M

Fターム (95件)：

4M104AA04 , 4M104AA09 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104FF07 , 4M104FF17 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GR07 , 5F102GR11 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC19 , 5F102HC21 , 5F110AA13 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG32 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ15 , 5F110HJ22 , 5F110HJ23 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110QQ14 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BE10 , 5F140BF07 , 5F140BF15 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BF43 , 5F140BH15 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BH49 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK13 , 5F140BK15 , 5F140BK17 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK38 , 5F140CD09 , 5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-039956 出願人：古河電気工業株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-030341 出願人：古河電気工業株式会社
窒素化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-026295 出願人：株式会社東芝

全件表示

審査官引用 (9件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-039956 出願人：古河電気工業株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-030341 出願人：古河電気工業株式会社
窒素化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-026295 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る