特許
J-GLOBAL ID：200903006116693236
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-273347
公開番号（公開出願番号）：特開2008-088036
出願日： 2006年10月04日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】結晶成長ルツボに低温部と高温部を設け、結晶成長ルツボの低温部に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板22を配し、高温部に炭化珪素原料を配して、炭化珪素原料から昇華した昇華ガスを種結晶基板22上に析出させて炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶22を配する箇所のルツボ部材に、炭化珪素との室温における線膨張係数の差が1.0×10-6/ケルビン以下である部材を用いる。また、種結晶22を配する箇所のルツボ部材として炭化珪素を用いる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
結晶成長ルツボに低温部と高温部を設け、該結晶成長ルツボの低温部に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を配し、高温部に炭化珪素原料を配して、炭化珪素原料から昇華した昇華ガスを種結晶基板上に析出させて炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶を配する箇所のルツボ部材に、炭化珪素との室温における線膨張係数の差が1.0×10-6/ケルビン以下である部材を用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077ED02
, 4G077EG11
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA12
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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