特許
J-GLOBAL ID：201003027334012273

誘電性構造体、誘電性構造体を用いた放電装置、流体改質装置、および反応システム

発明者：
佐藤 慎吾

佐藤 慎吾 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-194449
公開番号（公開出願番号）：特開2010-033867
出願日： 2008年07月29日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：
【課題】処理流体の圧力損失を低減でき、また、高効率で処理流体内の微粒子状不純物を取り除くことのできる誘電性構造体を提供する。【解決手段】 誘電性構造体1は、第1表面S1と第2表面S2との間に少なくとも1つの貫通孔3を有する誘電体と、誘電体における第1表面S1と第2表面S1との間に設けられ、少なくとも一部が貫通孔3の内周面に沿って位置する第1導電体4と、第2表面S2上に設けられ、外縁部が該第2表面S2上に位置するとともに少なくとも一部が貫通孔3の開口に沿って位置する第2導電体6とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1表面と第2表面との間に少なくとも1つの貫通孔を有する誘電体と、 前記誘電体における前記第1表面と前記第2表面との間に設けられ、少なくとも一部が前記貫通孔の内周面に沿って位置する第1導電体と、 前記第2表面上に設けられ、外縁部が該第2表面上に位置するとともに少なくとも一部が前記貫通孔の開口に沿って位置する第2導電体と を有する誘電性構造体。
IPC (3件)：
H05H 1/24 ,  B01J 19/08 ,  F01N 3/08
FI (3件)：
H05H1/24 ,  B01J19/08 E ,  F01N3/08 C
Fターム (21件)：
3G091AA18 ,  3G091AB14 ,  3G091BA14 ,  3G091BA16 ,  3G091CA08 ,  3G091DC03 ,  3G091EA15 ,  4G075AA03 ,  4G075AA22 ,  4G075AA37 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075CA47 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075FA01 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM