特許
J-GLOBAL ID：201003032697811627

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
飯田 敦子

飯田 敦子 について

, 
小野塚 豊

小野塚 豊 について

, 
板谷 和彦

板谷 和彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-316727
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141173
出願日： 2008年12月12日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】樹脂の硬化時に発生する基板の反りを抑制することができるとともに、基板への応力を緩和し、さらに基板の薄化を可能にする半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】側面に第1の樹脂18を有する第1の半導体チップ12と、この第1の半導体チップと略同一平面上に実装される第2の半導体チップ14と、樹脂層と第2の半導体チップの間に設けられ、第1の半導体チップと第2の半導体チップとを接着する、室温におけるヤング率が第1の樹脂よりも高い第2の樹脂で形成された接着部20と、を備えることを特徴とする半導体装置およびその製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
側面に第1の樹脂で形成される樹脂層を有する第1の半導体チップと、 前記第1の半導体チップと略同一平面上に実装される第2の半導体チップと、 前記樹脂層と前記第2の半導体チップとの間に設けられ、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップを接着する、室温におけるヤング率が前記第1の樹脂よりも高い第2の樹脂で形成される接着部と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L25/04 Z ,  H01L23/12 501P
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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