オペレーション上の退化を反転する内蔵型加熱回路を有する集積回路

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲葉良幸 , 大貫敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-539495
公開番号（公開出願番号）：特表2010-511266
出願日： 2007年11月29日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：

集積回路デバイス(100)は、使用に応じた性能劣化(例えば、フラッシュメモリセルのトンネル酸化物内で蓄積された欠陥、又は、電荷蓄積層内でトラップされた電荷)を示す構造(104)と、構造に近接して配置され、劣化を反転する温度に構造を加熱する加熱回路(101)とを備える。メモリデバイスのワード線又はビット線を加熱素子(107)として使用する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

使用に応じた性能劣化を示す複数の構造と、前記複数の構造に近接して配置され、前記劣化を反転する温度に前記複数の構造を加熱する加熱回路と、を備える集積回路(IC)デバイス。

IPC (8件)：

G11C 16/02 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 27/10 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

G11C17/00 601Q , H01L27/04 T , G11C17/00 614 , H01L27/10 491 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (37件)：

5B125BA02 , 5B125BA08 , 5B125CA27 , 5B125DD05 , 5B125DD08 , 5B125EA05 , 5B125FA01 , 5F038AR09 , 5F038AR13 , 5F038AR19 , 5F038AZ08 , 5F038BB05 , 5F038CA08 , 5F038CD12 , 5F038DF05 , 5F038DT12 , 5F038EZ20 , 5F083EP01 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA53 , 5F083PR33 , 5F101BA01 , 5F101BA42 , 5F101BA45 , 5F101BB02 , 5F101BD22 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (9件)

局所アニール方法、半導体素子の製造方法、半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-184143 出願人：沖電気工業株式会社
半導体不揮発性メモリ装置およびその消去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-006232 出願人：シャープ株式会社
磁気ランダムアクセスメモリシステム、及び磁気ランダムアクセスメモリの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-206172 出願人：株式会社東芝

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