特許
J-GLOBAL ID：201003036479457795
薄膜圧電体素子及びその製造方法並びにそれを用いたヘッドジンバルアセンブリ、及びそのヘッドジンバルアセンブリを用いたハードディスクドライブ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-271306
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103194
出願日： 2008年10月21日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】 高性能化、高信頼性化及び低コスト化が実現可能な薄膜圧電体素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1基板S1上に第1電極膜45、圧電体膜43及び第2電極膜41を積層して積層体Lを形成する工程と、第2基板S2上に支持膜48を積層して積層体Mを形成する工程と、第2電極膜41と支持膜48とが対向するように積層体Lと積層体Mとを接着膜47で貼り合わせて積層体L、接着膜47及び積層体Mからなる積層体Pを形成する工程と、積層体Pから第1基板S1を除去する工程と、第1基板S1の除去工程後に、積層体Pを所望の形状に加工する工程と、積層体Pの加工工程後に、第2基板S2を除去する工程と、を備え、接着膜47のヤング率は、圧電体膜43のヤング率より低く、第2電極膜41及び支持膜48それぞれのヤング率が接着膜47のヤング率より高く、積層体Pは、圧電体膜43以外に圧電体膜を有していない。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1基板上に第1電極膜、圧電体膜及び第2電極膜を順に積層して第1積層体を形成する工程と、
第2基板上に支持膜を積層して第2積層体を形成する工程と、
前記第2電極膜と前記支持膜とが対向するように前記第1積層体と前記第2積層体とを接着膜で貼り合わせて前記第1積層体、前記接着膜及び前記第2積層体からなる第3積層体を形成する工程と、
前記第3積層体から前記第1基板を除去する工程と、
前記第1基板の除去工程後に、前記第3積層体を所望の形状に加工する工程と、
前記第3積層体の加工工程後に、前記第2基板を除去する工程と、
を備え、
前記接着膜のヤング率は、前記圧電体膜のヤング率より低く、
前記第2電極膜及び前記支持膜それぞれのヤング率が前記接着膜のヤング率より高く、
前記第3積層体は、前記圧電体膜以外に圧電体膜を有していない薄膜圧電体素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 41/09
, H01L 41/18
, H01L 41/22
, G11B 21/10
, G11B 21/21
H01L41/08 C
, H01L41/08 L
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
, G11B21/10 N
, G11B21/21 D
5D059AA01
, 5D059BA01
, 5D059CA18
, 5D059DA19
, 5D059DA31
, 5D059EA02
, 5D096NN03
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (8件)
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