特許
J-GLOBAL ID：201003060863180782

成膜装置及び成膜方法

発明者：
猿渡 哲也

猿渡 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (3件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  鈴木 壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-205364
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040978
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】太陽電池の反射防止膜の成膜において成膜速度を向上しつつ、高い水素パッシベーション効果を得ることができる成膜装置を提供する。【解決手段】チャンバ101と、チャンバ101内に配置され、シリコン(Si)を含む下地層が設けられた被処理体100を保持するアノード電極106と、チャンバ内にアノード電極106と対向して配置された筒状のホローカソード電極102と、ホローカソード電極102に水素(H2)、窒素(N)及びシリコン(Si)を含む材料ガスを供給するガス供給管109と、ホローカソード電極102とアノード電極106との間に低周波を印加し、ホローカソード放電によるプラズマPを生成させる電源105とを備え、プラズマPで励起された材料ガスを下地層上に供給してシリコン窒化膜を成膜する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバと、 前記チャンバ内に配置され、シリコンを含む下地層が設けられた被処理体を保持するアノード電極と、 前記チャンバ内に前記アノード電極と対向して配置された筒状のホローカソード電極と、 前記ホローカソード電極に水素、窒素及びシリコンを含む材料ガスを供給するガス供給管と、 前記ホローカソード電極と前記アノード電極との間に低周波を印加し、ホローカソード放電によるプラズマを生成させる電源 とを備え、前記プラズマで励起された前記材料ガスを、前記下地層上に供給してシリコン窒化膜を成膜することを特徴とする成膜装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/503 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/318
FI (5件)：
H01L21/31 C ,  C23C16/42 ,  C23C16/503 ,  H01L31/04 F ,  H01L21/318 B
Fターム (46件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA18 ,  4K030LA02 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045CB04 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045GB19 ,  5F051AA02 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ03 ,  5F151AA02 ,  5F151CB12 ,  5F151CB20 ,  5F151CB24 ,  5F151DA03 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151HA03
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM